सैमसंग का 9.15 अरब डॉलर का निवेश, चिप आपूर्ति श्रृंखला को मिलेगा विस्तार

सैमसंग समूह की कंपनियां दक्षिण कोरिया और वियतनाम में सेमीकंडक्टर कारोबार के विस्तार के लिए कुल 12.26 ट्रिलियन वॉन यानी लगभग 9.15 अरब डॉलर निवेश करने की योजना बना रही हैं। वियतनाम में करीब 8 ट्रिलियन वॉन का निवेश होगा, जबकि दक्षिण कोरिया में उच्च-स्तरीय उत्पादन क्षमता बढ़ाई जाएगी। योजनाओं में मेमोरी चिप की जांच और चिप पैकेजिंग में इस्तेमाल होने वाले सब्सट्रेट का उत्पादन शामिल है।

वियतनाम में मेमोरी चिप की जांच सुविधा

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स उत्तरी वियतनाम के थाई गुयेन प्रांत स्थित येन बिन्ह औद्योगिक पार्क में मेमोरी चिप की अंतिम जांच के लिए 105.79 ट्रिलियन वियतनामी डोंग, यानी करीब 4.09 अरब डॉलर, लगाएगी। पहली उत्पादन लाइन 2027 की चौथी तिमाही में शुरू करने और दूसरी लाइन 2028 में लगाने की योजना है।

यहां दक्षिण कोरिया के चेओनान संयंत्र में पैकेज किए गए डीआरएएम और नैंड फ्लैश चिप की अंतिम जांच होगी। यह निवेश जांच क्षमता बढ़ाने के लिए है, वेफर निर्माण के लिए नहीं। वियतनाम की प्रस्तावित सुविधा के निवेश में से 66.64 ट्रिलियन डोंग—करीब 63 प्रतिशत—सैमसंग के स्थानीय कारोबार से अर्जित लाभ को फिर से लगाने से आने की उम्मीद है।

दक्षिण कोरिया और वियतनाम में सब्सट्रेट उत्पादन

सैमसंग इलेक्ट्रो-मैकेनिक्स ने फ्लिप-चिप बॉल ग्रिड ऐरे (एफसीबीजीए) सब्सट्रेट उत्पादन बढ़ाने के लिए 6.78 ट्रिलियन वॉन निवेश की घोषणा की है। इसमें 4.27 ट्रिलियन वॉन दक्षिण कोरिया के सेजोंग संयंत्र और 2.51 ट्रिलियन वॉन वियतनाम की क्षमता बढ़ाने पर खर्च होंगे। सेजोंग में विस्तारित संयंत्र से सितंबर 2028 में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने का लक्ष्य है। वियतनाम में विस्तार जून 2030 तक चालू करने की योजना है।

एफसीबीजीए सब्सट्रेट उच्च प्रदर्शन वाले प्रोसेसर को सर्किट बोर्ड से जोड़ने में मदद करता है। यह चिप पैकेजिंग का हिस्सा है—वह चरण जिसमें वेफर निर्माण और जांच के बाद चिप को सुरक्षित कर विद्युत संपर्कों से जोड़ा जाता है।

निवेश के तहत अलग-अलग उत्पादन चरण

इन योजनाओं में सेमीकंडक्टर उत्पादन के दो अलग हिस्से शामिल हैं: वियतनाम में मेमोरी चिप की अंतिम जांच और दक्षिण कोरिया तथा वियतनाम में एफसीबीजीए सब्सट्रेट निर्माण। चिप की पैकेजिंग चेओनान में होगी, जबकि उसकी अंतिम जांच वियतनाम में प्रस्तावित सुविधा में की जाएगी। इस तरह निवेश अलग-अलग देशों में स्थित उत्पादन और प्रसंस्करण क्षमताओं को विस्तार देता है।

खबर से जुड़े जीके तथ्य

• डीआरएएम का पूरा नाम डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी है। यह अस्थिर मेमोरी है और डेटा बनाए रखने के लिए बिजली की आवश्यकता होती है।
• नैंड फ्लैश एक गैर-अस्थिर मेमोरी तकनीक है, जिसमें बिजली बंद होने पर भी डेटा सुरक्षित रहता है।
• एफसीबीजीए का पूरा नाम फ्लिप-चिप बॉल ग्रिड ऐरे है; यह सेमीकंडक्टर पैकेजिंग में इस्तेमाल होने वाला सब्सट्रेट प्रारूप है।
• सेमीकंडक्टर निर्माण में वेफर बनाना, चिप की जांच और पैकेजिंग जैसे अलग-अलग चरण शामिल होते हैं।

यह निवेश दिखाता है कि चिप उद्योग में वेफर निर्माण के साथ-साथ जांच और पैकेजिंग के लिए भी विशेष संयंत्रों की अहम भूमिका है।